| 型号：SI7452DP-T1-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? SO-8 | 描述：MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 11.5A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 8.3 毫欧 @ 19.3A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 160nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 1.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市芯满林科技有限公司 | 夏小姐18926544209/18025435189 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 汪小姐，15173547089，无线联通更快捷！171-4729-1886（微信同号） |
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
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